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BSZ240N12NS3 G、BSC240N12NS3 G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSZ240N12NS3 G BSC240N12NS3 G

描述 N沟道 120V 37ATrans MOSFET N-CH 120V 37A 8Pin TDSON EP

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 PG-TSDSON-8 PG-TDSON-8

通道数 1 -

耗散功率 66 W 66W (Tc)

漏源极电压(Vds) 120 V 120 V

输入电容(Ciss) 1900pF @60V(Vds) 1900pF @60V(Vds)

额定功率(Max) 66 W 66 W

耗散功率(Max) 66W (Tc) 66W (Tc)

长度 3.3 mm -

高度 1.10 mm -

封装 PG-TSDSON-8 PG-TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -