BSC240N12NS3 G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSC240N12NS3 G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 66W Tc
漏源极电压Vds 120 V
输入电容Ciss 1900pF @60VVds
额定功率Max 66 W
耗散功率Max 66W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSC240N12NS3 G引脚图与封装图
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在线购买BSC240N12NS3 G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSC240N12NS3 G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 120V 37A 8Pin TDSON EP | 搜索库存 |
替代型号BSC240N12NS3 G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSC240N12NS3 G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TDSON-8 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 120V 37A 8Pin TDSON EP | 当前型号 |
| 型号： BSZ240N12NS3 G 品牌： 英飞凌 封装： TSDSON-8 | 功能相似 | N沟道 120V 37A | BSC240N12NS3 G和BSZ240N12NS3 G的区别 |