锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

L6384D、L6384ED013TR、L6384E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6384D L6384ED013TR L6384E

描述 HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVERL6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - SOIC-8L6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - DIP-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 DIP-8

频率 - 0.4 MHz 0.4 MHz

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

针脚数 - 8 -

耗散功率 750 mW 0.75 W 750 mW

静态电流 - 380 µA -

上升时间 70 ns 50 ns 50 ns

开关频率 - 400 kHz -

输出电流(Max) - 0.65 A 0.65 A

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 70 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 45 ℃ -45 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 14.6V ~ 16.6V 8V ~ 16.6V 8V ~ 16.6V

电源电压(Max) 16.6 V 16.6 V 16.6 V

电源电压(Min) 8 V 11.5 V 14.6 V

输出电压 580 V - 580 V

电源电压(DC) 16.6V (max) - -

输出电流 650 mA - -

长度 5 mm 5 mm 10.92 mm

宽度 4 mm 4 mm 6.6 mm

高度 1.25 mm 1.5 mm 3.32 mm

封装 SO-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ -45℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99