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L6384E

L6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - DIP-8

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP


欧时:
STMicroelectronics L6384E 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 最大为 16.6 V电源, 8引脚 PDIP封装


贸泽:
Gate Drivers HV H-Bridge driver


艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


富昌:
L6384 Series Dual 400 mA 125Ω High Voltage Half Bridge Driver - DIP-8


Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V DIP-8 THT **


Win Source:
IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8SOIC


L6384E中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

输出电压 580 V

耗散功率 750 mW

上升时间 50 ns

输出电流Max 0.65 A

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压 8V ~ 16.6V

电源电压Max 16.6 V

电源电压Min 14.6 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

长度 10.92 mm

宽度 6.6 mm

高度 3.32 mm

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -45℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

L6384E引脚图与封装图
L6384E封装图

L6384E封装图

L6384E电路图

L6384E电路图

L6384E封装焊盘图

L6384E封装焊盘图

在线购买L6384E
型号 制造商 描述 购买
L6384E ST Microelectronics 意法半导体 L6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - DIP-8 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: L6384E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: DIP-8

当前型号

L6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - DIP-8

当前型号

型号: L6384D

品牌: 意法半导体

封装: Surface 16.6V 8Pin

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L6384E和L6384D的区别

型号: L6384

品牌: 意法半导体

封装: DIP 16.6V 650mA 8Pin

类似代替

HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER

L6384E和L6384的区别

型号: L6384ED

品牌: 意法半导体

封装: SO-8 11.5V 8Pin

功能相似

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