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BD242CG、TIP32CTU、BD242C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD242CG TIP32CTU BD242C

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD242CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 25 hFEPower PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz 3 MHz -

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -3.00 A -3.00 A -3.00 A

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 40 W 2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 4V 10 @3A, 4V 25 @1A, 4V

额定功率(Max) 40 W 2 W 40 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40 mW 2000 mW 40000 mW

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 25 - -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 16.51 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Rail Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -