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J112AMO、J113,126、J113D26Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J112AMO J113,126 J113D26Z

描述 TRANSISTOR 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 PIN, FET General Purpose Small SignalIC JFET N-CH 40V 2mA TO92-3Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

封装 SOT-23 TO-226-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 20.0 mA - -

输入电容 6.00 pF - -

漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 mA - -

漏源极电阻 - 100 Ω -

漏源击穿电压 - 40 V -

栅源击穿电压 - 40 V -

击穿电压 - 40 V -

输入电容(Ciss) - 6pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) - 400 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 400 mW -

封装 SOT-23 TO-226-3 -

宽度 - 3.2 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape, Tape & Box (TB) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -