J113,126
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
J113,126中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 100 Ω
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
栅源击穿电压 40 V
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 6pF @10VVgs
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
宽度 3.2 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
J113,126引脚图与封装图
暂无图片
替代型号J113,126
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： J113,126 品牌： NXP 恩智浦 封装： SSOP28 | 当前型号 | IC JFET N-CH 40V 2mA TO92-3 | 当前型号 |
| 型号： J112 品牌： 摩托罗拉 封装： | 功能相似 | JFET Chopper Transistor N-Channel- Depletion | J113,126和J112的区别 |
| 型号： J112AMO 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 40V 20mA | 功能相似 | TRANSISTOR 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal | J113,126和J112AMO的区别 |