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MC4558CD、MC4558CDT、RC4558IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC4558CD MC4558CDT RC4558IDR

描述 STMICROELECTRONICS  MC4558CD  运算放大器, 双路, 5.5 MHz, 2个放大器, 2.2 V/µs, ± 2V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  MC4558CDT  运算放大器, 双路, 5.5 MHz, 2个放大器, 2.2 V/µs, ± 2V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  RC4558IDR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 1.7 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 44.0 V - 30.0 V

供电电流 2.3 mA 2.3 mA 2.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 - - 0.00 V/K

带宽 5.5 MHz 5.5 MHz 3 MHz

转换速率 2.20 V/μs 2.20 V/μs 1.70 V/μs

增益频宽积 5.5 MHz 5.5 MHz 3 MHz

输入补偿电压 1 mV 1 mV 500 µV

输入偏置电流 50 nA 50 nA 150 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 5.5 MHz 5.5 MHz 3 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

耗散功率 680 mW 680 mW -

耗散功率(Max) 680 mW 680 mW -

工作电压 2V ~ 20V - -

电源电压(Max) 20 V - -

高度 1.65 mm 1.65 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -