IRLMS2002、IRLMS2002PBF、IRLMS2002TRPBF对比区别

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型号 IRLMS2002 IRLMS2002PBF IRLMS2002TRPBF

描述 TSOP N-CH 20V 6.5AINFINEON  IRLMS2002PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 VINFINEON  IRLMS2002TRPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOP

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SOT-23-6 µSOIC SOT-23-6

引脚数 - 6 6

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 2W (Ta) 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.5A 6.5A 6.5A

输入电容(Ciss) 1310pF @15V(Vds) - 1310pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 2W (Ta) - 2W (Ta)

额定功率 - - 2 W

通道数 - - 1

针脚数 - 6 6

漏源极电阻 - 0.03 Ω 30 mΩ

阈值电压 - 1.2 V 1.2 V

输入电容 - - 1310 pF

漏源击穿电压 - - 20 V

上升时间 - - 11 ns

额定功率(Max) - - 2 W

下降时间 - - 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SOT-23-6 µSOIC SOT-23-6

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.75 mm

高度 - - 1.3 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)