JANTXV2N3767、SDT5906、2N3766对比区别

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型号 JANTXV2N3767 SDT5906 2N3766

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN 40V 0.5APower Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Solitron Devices Advanced Semiconductor

分类 双极性晶体管

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 - -

封装 TO-66 - TO-66

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 40 V -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 5V - -

额定功率(Max) 25 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 25000 mW - -

极性 - NPN -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

封装 TO-66 - TO-66

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

含铅标准 - -