JANTXV2N3767
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3767中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 5V
额定功率Max 25 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 25000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTXV2N3767引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3767
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3767 | Microsemi 美高森美 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3767
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3767 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N3766LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-66 NPN 60V 4A | JANTXV2N3767和2N3766LEADFREE的区别 |
| 型号： 2N3767LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-66 NPN 80V 4A | JANTXV2N3767和2N3767LEADFREE的区别 |
| 型号： SDT5906 品牌： Solitron Devices 封装： | 功能相似 | NPN 40V 0.5A | JANTXV2N3767和SDT5906的区别 |