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BCM857DS,115、BCM857DS,135对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCM857DS,115 BCM857DS,135

描述 NXP  BCM857DS,115  双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 380 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-457TSOP PNP 45V 0.1A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 -

封装 SOT-457 SOT-457-6

频率 175 MHz -

针脚数 6 -

极性 PNP PNP

耗散功率 380 mW 380 mW

增益频宽积 175 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

测试电流 5 mA -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

稳压值 3.3 V -

额定功率(Max) 380 mW 380 mW

直流电流增益(hFE) 290 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

耗散功率(Max) 380 mW 380 mW

工作温度(Min) - -

长度 0.25 in -

宽度 0.25 in -

高度 0.25 in -

封装 SOT-457 SOT-457-6

重量 0.004535924 kg -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -