BCM857DS,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BCM857DS,115中文资料参数规格
技术参数
频率 175 MHz
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 380 mW
增益频宽积 175 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
测试电流 5 mA
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
稳压值 3.3 V
额定功率Max 380 mW
直流电流增益hFE 290
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 380 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
长度 0.25 in
宽度 0.25 in
高度 0.25 in
封装 SOT-457
物理参数
重量 0.004535924 kg
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BCM857DS,115引脚图与封装图
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在线购买BCM857DS,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCM857DS,115 | NXP 恩智浦 | NXP BCM857DS,115 双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 380 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-457 | 搜索库存 |
替代型号BCM857DS,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCM857DS,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-74 PNP 0.38W | 当前型号 | NXP BCM857DS,115 双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 380 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-457 | 当前型号 |
| 型号： BCM857DS,135 品牌： 恩智浦 封装： SC-74 PNP 380mW | 类似代替 | TSOP PNP 45V 0.1A | BCM857DS,115和BCM857DS,135的区别 |
| 型号： BCM857DS 品牌： 安世 封装： SOT-457 | 功能相似 | 通用 PNP 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia | BCM857DS,115和BCM857DS的区别 |