MTP3055V、MTP3055VL、BUZ71A对比区别

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型号 MTP3055V MTP3055VL BUZ71A

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。To220 Nch Mos 50V 0.12r

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 12.0 A 12.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.1 Ω -

耗散功率 48W (Tc) 48 W -

阈值电压 - 1.6 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A -

上升时间 34 ns 190 ns -

输入电容(Ciss) 500pF @25V(Vds) 570pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 48 W -

下降时间 18 ns 90 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 48W (Tc) 48W (Tc) -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 16.51 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Rail Rail, Tube -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -