IRF350、IRF3710PBF、IRF1405PBF对比区别

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型号 IRF350 IRF3710PBF IRF1405PBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AAINFINEON  IRF3710PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF1405PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 169 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Motorola (摩托罗拉) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 200 W 200 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.023 Ω 0.0053 Ω

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 200 W 330 W

阈值电压 - 4 V 4 V

输入电容 - 3130 pF 5480 pF

漏源极电压(Vds) - 100 V 55 V

漏源击穿电压 - 100 V 55 V

连续漏极电流(Ids) - 57A 169A

上升时间 - 58 ns 190 ns

输入电容(Ciss) - 3130pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 200 W 330 W

下降时间 - 47 ns 110 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200W (Tc) 330W (Tc)

通道数 - 1 -

长度 - 10.67 mm 10.67 mm

高度 - 8.77 mm 8.77 mm

封装 - TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.69 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99