IRF3710PBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF3710PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 200 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 4 V
输入电容 3130 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 57A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 3130pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 47 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.69 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Push-Pull, Consumer Full-Bridge, 电源管理, Full-Bridge
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRF3710PBF引脚图与封装图 
IRF3710PBF引脚图
IRF3710PBF封装图
IRF3710PBF封装焊盘图
在线购买IRF3710PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF3710PBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRF3710PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号IRF3710PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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