AUIRFR1018E、IRFR1018ETRPBF、IRFR1018EPBF对比区别

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型号 AUIRFR1018E IRFR1018ETRPBF IRFR1018EPBF

描述 INFINEON  AUIRFR1018E  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 2 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRFR1018EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 60 V, 7.1 mohm, 20 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 110 W 110 W 110 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0071 Ω 0.0071 Ω 0.0071 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 110 W 110 W

阈值电压 2 V 2 V 4 V

输入电容 - 2290 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 79A 79A 79A

上升时间 35 ns 35 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 2290pF @50V(Vds) 2290pF @50V(Vds) 2290pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 110 W 110 W

下降时间 46 ns 46 ns 46 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)

通道数 - - 1

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17