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IRFR1018ETRPBF

IRFR1018ETRPBF

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


立创商城:
N沟道 60V 56A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 60V 79A 8,4mOhm DPAK **


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK


IRFR1018ETRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 110 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0071 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 2 V

输入电容 2290 pF

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 79A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 2290pF @50VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 46 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Battery Operated Drive

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IRFR1018ETRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFR1018ETRPBF Infineon 英飞凌 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 搜索库存
替代型号IRFR1018ETRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR1018ETRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 79A

当前型号

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

当前型号

型号: IRFR1018EPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 79A

类似代替

INFINEON  IRFR1018EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 60 V, 7.1 mohm, 20 V, 4 V

IRFR1018ETRPBF和IRFR1018EPBF的区别

型号: AUIRFR1018E

品牌: 英飞凌

封装: TO-252AA N-CH 60V 79A

类似代替

INFINEON  AUIRFR1018E  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 2 V

IRFR1018ETRPBF和AUIRFR1018E的区别

型号: AUIRFR1018ETRL

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 60V 79A

类似代替

DPAK N-CH 60V 79A

IRFR1018ETRPBF和AUIRFR1018ETRL的区别