VB10150S-E3/8W、VB10150S-E3/4W、MBRS10150HC0对比区别

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型号 VB10150S-E3/8W VB10150S-E3/4W MBRS10150HC0

描述 高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 ARectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 TVS二极管TVS二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

正向电压 1.2V @10A 1.2V @10A -

最大正向浪涌电流（Ifsm） 120 A - -

正向电压(Max) 1.2V @10A - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -