VB10150S-E3/8W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.2V @10A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 120 A
正向电压Max 1.2V @10A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VB10150S-E3/8W引脚图与封装图
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在线购买VB10150S-E3/8W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VB10150S-E3/8W | Vishay Semiconductor 威世 | 高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 搜索库存 |
替代型号VB10150S-E3/8W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： VB10150S-E3/8W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-263-3 | 当前型号 | 高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 当前型号 |
| 型号： VB10150S-E3/4W 品牌： 威世 封装： D2PAK | 完全替代 | 高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A | VB10150S-E3/8W和VB10150S-E3/4W的区别 |
| 型号： RS10.15% 品牌： 台湾半导体 封装： | 功能相似 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 150V VRRM, Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2 | VB10150S-E3/8W和RS10.15%的区别 |