TLV2422CD、TS1852IST、TLV2422AID对比区别

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型号 TLV2422CD TS1852IST TLV2422AID

描述 LINCMOS满量程输出,微功耗双路运放TS185x 系列 6 V 630 kHz 轨对轨 低功耗 运算放大器 - MSOIC-8高级LinCMOSE轨到轨输出，宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 Mini-SO-8 SOIC-8

供电电流 100 µA 162 µA 100 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW - 725 mW

共模抑制比 70 dB 55 dB 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K - 1.80 µV/K

带宽 52.0 kHz - 52.0 kHz

转换速率 20.0 mV/μs 180 mV/μs 20.0 mV/μs

增益频宽积 0.052 MHz 0.656 MHz 52 kHz

输入补偿电压 300 µV 1 mV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 16 nA 1 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.052 MHz 0.656 MHz 0.052 MHz

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 65 dB 70 dB

输出电流 ≤50 mA 48 mA -

电源电压 - 1.8V ~ 6V -

电源电压(Max) - 6 V -

电源电压(Min) - 1.8 V -

长度 4.9 mm 3 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 0.86 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 Mini-SO-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -