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TPI12011N、TPI12011NRL、TISP7180F3DR-S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPI12011N TPI12011NRL TISP7180F3DR-S

描述 对于ISDN接口的三极保护 TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACESTPI 系列 120 V 双向 三极保护 用于 ISDN 接口 - SOIC-8MEDIUM & HIGH- VOLTAGE TRIPLE元的双向晶闸管过电压保护 MEDIUM & HIGH-VOLTAGE TRIPLE ELEMENT BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Bourns J.W. Miller (伯恩斯)

分类 晶闸管晶闸管晶闸管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

保持电流 150 mA 150 mA 150 mA

测试电流 - 1 mA -

最小反向击穿电压 - 120 V -

保持电流(Max) 150mA (Min) 150mA (Min) 150mA (Min)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

电容 150 pF - 47 pF

高度 1.65 mm 1.65 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99