TPI12011N中文资料参数规格
技术参数
电容 150 pF
保持电流 150 mA
保持电流Max 150mA Min
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
TPI12011N引脚图与封装图
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在线购买TPI12011N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TPI12011N | ST Microelectronics 意法半导体 | 对于ISDN接口的三极保护 TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES | 搜索库存 |
替代型号TPI12011N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TPI12011N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 8-SOIC | 当前型号 | 对于ISDN接口的三极保护 TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES | 当前型号 |
| 型号： TPI12011NRL 品牌： 意法半导体 封装： 8-SOIC | 完全替代 | TPI 系列 120 V 双向 三极保护 用于 ISDN 接口 - SOIC-8 | TPI12011N和TPI12011NRL的区别 |
| 型号： TISP7180F3DR 品牌： 伯恩斯 封装： 8-SOIC 145V | 功能相似 | MEDIUM ＆ HIGH- VOLTAGE TRIPLE元的双向晶闸管过电压保护 MEDIUM & HIGH-VOLTAGE TRIPLE ELEMENT BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS | TPI12011N和TISP7180F3DR的区别 |