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MMBV2108LT1、MMBV2108LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBV2108LT1 MMBV2108LT1G

描述 Silicon Tuning Diode硅调谐二极管 Silicon Tuning Diodes

数据手册 --

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美)

分类 变容二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 - SOT-23-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) - 30.0 V

电容 - 29.7 pF

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 - SOT-23-3

高度 - 0.94 mm

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free