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JANTX2N2369A、JANTXV2N2369A、2N2369A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N2369A JANTXV2N2369A 2N2369A

描述 Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3Pin TO-18JANTXV Series 15V 360mW Through Hole NPN Silicon Transistor - TO-206AA (TO-18)NPN双极型晶体管 NPN BIPOLAR TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-18 TO-18 TO-18

耗散功率 0.36 W 0.6 W 0.36 W

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

最小电流放大倍数(hFE) 20 @100mA, 1V 20 @100mA, 1V 20 @100mA, 1V

额定功率(Max) 360 mW 360 mW 360 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 360 mW 360 mW 360 mW

封装 TO-18 TO-18 TO-18

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -