JANTX2N2369A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N2369A中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.36 W
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V
额定功率Max 360 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
JANTX2N2369A引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N2369A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N2369A | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3Pin TO-18 | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N2369A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N2369A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-18 360mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3Pin TO-18 | 当前型号 |
| 型号： JAN2N2369A 品牌： 美高森美 封装： TO-18 360mW | 完全替代 | NPN双极型晶体管 NPN BIPOLAR TRANSISTOR | JANTX2N2369A和JAN2N2369A的区别 |
| 型号： 2N2369A 品牌： 美高森美 封装： TO-18 360mW | 完全替代 | NPN双极型晶体管 NPN BIPOLAR TRANSISTOR | JANTX2N2369A和2N2369A的区别 |
| 型号： JANS2N2369A 品牌： 美高森美 封装： TO-18 NPN | 完全替代 | TO-18 NPN 15V | JANTX2N2369A和JANS2N2369A的区别 |