MJD3055T4G、MJD3055TF、MJD3055G对比区别

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型号 MJD3055T4G MJD3055TF MJD3055G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD3055T4G  双极性晶体管FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD3055TF  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 5 hFENPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 10.0 A 10.0 A 10.0 A

针脚数 4 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.75 W 1.75 W 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) 5 5 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 20 W 20 W

热阻 - - 6.25℃/W (RθJC)

集电极击穿电压 - 70.0 V -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.1 mm 6.22 mm

高度 2.38 mm 2.3 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99