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2SA1162S-Y,LF(D、RN1402,LF、2SA1162-Y,LF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SA1162S-Y,LF(D RN1402,LF 2SA1162-Y,LF

描述 TRANS PNP 50V 0.15A S-MINITransistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59; R1:10kΩ2SA1162-Y,LF 编带

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - - 80 MHz

极性 - - PNP

耗散功率 - 0.2 W 0.15 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - - 0.15A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 6V 50 @10mA, 5V 120 @2mA, 6V

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW

耗散功率(Max) - 200 mW 150 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 250 MHz -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 125℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free