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RN1402,LF

RN1402,LF

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59; R1:10kΩ

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 S-Mini


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini


TME:
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59; R1:10kΩ


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI


RN1402,LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1402,LF引脚图与封装图
RN1402,LF引脚图

RN1402,LF引脚图

RN1402,LF封装图

RN1402,LF封装图

RN1402,LF封装焊盘图

RN1402,LF封装焊盘图

在线购买RN1402,LF
型号 制造商 描述 购买
RN1402,LF Toshiba 东芝 Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59; R1:10kΩ 搜索库存
替代型号RN1402,LF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： RN1402,LF

品牌： Toshiba 东芝

封装： S-Mini 200mW

当前型号

Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59; R1:10kΩ

当前型号

型号： 2SA1162S-Y,LFD

品牌： 东芝

封装： TO-236-3

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封装： TO-236

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