IRF2807Z、IRF2807ZPBF、FDP75N08A对比区别
型号 IRF2807Z IRF2807ZPBF FDP75N08A
描述 TO-220AB N-CH 75V 89AINFINEON IRF2807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP75N08A 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 170 W -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 7.50 MΩ 0.0094 Ω 11 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 170W (Tc) 170 W 137 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 3270 pF 4.47 nF
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75.0V (min) 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 89A 75.0 A
上升时间 79 ns 79 ns 212 ns
输入电容(Ciss) 3270pF @25V(Vds) 3270pF @25V(Vds) 4468pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 170 W 137 W
下降时间 45 ns 45 ns 147 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 170W (Tc) 170W (Tc) 137W (Tc)
额定电压(DC) 75.0 V - 75.0 V
额定电流 75.0 A - 75.0 A
产品系列 IRF2807Z - -
通道数 - - 1
栅电荷 - - 104 nC
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 4.83 mm 4.83 mm
高度 - 16.51 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99