FDP75N08A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP75N08A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 75.0 V
额定电流 75.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 11 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 137 W
阈值电压 4 V
输入电容 4.47 nF
栅电荷 104 nC
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 212 ns
输入电容Ciss 4468pF @25VVds
额定功率Max 137 W
下降时间 147 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 137W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDP75N08A引脚图与封装图
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在线购买FDP75N08A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP75N08A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP75N08A 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FDP75N08A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP75N08A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 75V 75A 11mohms 4.47nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP75N08A 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： FDP75N08 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 75V 75A 11mohms | 类似代替 | 75V N沟道MOSFET 75V N-Channel MOSFET | FDP75N08A和FDP75N08的区别 |
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