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BD676A、BD676AG、TIP115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD676A BD676AG TIP115

描述 塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP DarlingtonsSTMICROELECTRONICS  TIP115  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -60 V, 2 W, 5 A, 1000 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-220-3

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -60.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A -2.00 A

针脚数 - 3 3

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 40 W 40 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V 750 @2A, 3V 1000 @1A, 4V

额定功率(Max) 40 W 40 W 2 W

直流电流增益(hFE) - 750 1000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 14000 mW 40000 mW 2000 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

集电极最大允许电流 4A 4A -

长度 7.74 mm - 10.4 mm

宽度 2.66 mm - 4.6 mm

高度 11.04 mm - 9.15 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tube

最小包装 500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2014/06/16

ECCN代码 - EAR99 EAR99