IRFR13N20DTRPBF、STD7NS20T4、STD20NF20对比区别

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型号 IRFR13N20DTRPBF STD7NS20T4 STD20NF20

描述 200V,13A,单N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD7NS20T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STD20NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 13.0 A 7.00 A 18.0 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.235 Ω 0.35 Ω 0.125 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 45 W 90 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 7.00 A 18.0 A

上升时间 27.0 ns 15 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 830pF @25V(Vds) 540pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 45 W 90 W

下降时间 - 12 ns 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 45W (Tc) 110W (Tc)

额定功率 - - 110 W

输入电容 830pF @25V - 940 pF

栅电荷 - - 28.0 nC

正向电压(Max) - - 1.6 V

产品系列 IRFR13N20D - -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99