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IRFR13N20DTRPBF

IRFR13N20DTRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRFR13N20DTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 13.0 A

漏源极电阻 0.235 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

产品系列 IRFR13N20D

输入电容 830pF @25V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 13.0 A

上升时间 27.0 ns

输入电容Ciss 830pF @25VVds

额定功率Max 110 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFR13N20DTRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFR13N20DTRPBF International Rectifier 国际整流器 200V,13A,单N沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号IRFR13N20DTRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR13N20DTRPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252 N-Channel 200V 13A

当前型号

200V,13A,单N沟道功率MOSFET

当前型号

型号: STD20NF20

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 200V 18A 125mohms 940pF

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD20NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V

IRFR13N20DTRPBF和STD20NF20的区别

型号: STD17NF25

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 250V 8.5A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD17NF25  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 250 V, 140 mohm, 10 V, 3 V

IRFR13N20DTRPBF和STD17NF25的区别

型号: STD7NS20T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 200V 7A 350mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD7NS20T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

IRFR13N20DTRPBF和STD7NS20T4的区别