额定电压DC 200 V
额定电流 13.0 A
漏源极电阻 0.235 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRFR13N20D
输入电容 830pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 27.0 ns
输入电容Ciss 830pF @25VVds
额定功率Max 110 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRFR13N20DTRPBF | International Rectifier 国际整流器 | 200V,13A,单N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRFR13N20DTRPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252 N-Channel 200V 13A | 当前型号 | 200V,13A,单N沟道功率MOSFET | 当前型号 | |
型号: STD20NF20 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 200V 18A 125mohms 940pF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V | IRFR13N20DTRPBF和STD20NF20的区别 | |
型号: STD17NF25 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 250V 8.5A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD17NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 250 V, 140 mohm, 10 V, 3 V | IRFR13N20DTRPBF和STD17NF25的区别 | |
型号: STD7NS20T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 200V 7A 350mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD7NS20T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V | IRFR13N20DTRPBF和STD7NS20T4的区别 |