BD13716S、BD13716STU对比区别

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型号 BD13716S BD13716STU

描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13716STU  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 100 hFE

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V

额定电流 1.50 A 1.50 A

极性 NPN NPN

耗散功率 1.25 W 12.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 160 160

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) 40 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 12.5 W

针脚数 - 3

额定功率 - 1.25 W

高度 11.2 mm 11 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

长度 - 8 mm

宽度 - 3.25 mm

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99