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BD13716STU

BD13716STU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13716STU  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 100 hFE

The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor suitable for medium power linear and switching applications. The bipolar transistor complement to BD138 PNP transistor.

.
-55 to 150°C Operating temperature range

欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 1.25W; TO126


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13716STU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 100 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 60V 1.5A TO-126


Win Source:
TRANS NPN 60V 1.5A TO-126


BD13716STU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 1.50 A

额定功率 1.25 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 12.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 1.25 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 12.5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

BD13716STU引脚图与封装图
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在线购买BD13716STU
型号 制造商 描述 购买
BD13716STU Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13716STU  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 100 hFE 搜索库存
替代型号BD13716STU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BD13716STU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-126 NPN 60V 1.5A 1.25W

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13716STU  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 100 hFE

当前型号

型号: BD13716S

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-126 NPN 60V 1.5A 1250mW

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