FDMS86101A、FDMS86101DC、CSD19531Q5A对比区别
型号 FDMS86101A FDMS86101DC CSD19531Q5A
描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86101A, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 Power 56 DualCool-56-8 VSON-FET-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0063 Ω - 0.0053 Ω
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 104 W 3.2 W 3.3 W
阈值电压 3.1 V - 2.7 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 14.5A 100A
上升时间 5.4 ns 8.2 ns 5.8 ns
输入电容(Ciss) 3095pF @50V(Vds) 3135pF @50V(Vds) 3870pF @50V(Vds)
下降时间 4 ns 5.5 ns 5.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 104 W 3.2W (Ta), 125W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
额定功率(Max) - 3.2 W -
封装 Power 56 DualCool-56-8 VSON-FET-8
长度 5 mm 5 mm -
宽度 5.85 mm 6 mm -
高度 1.05 mm 1.05 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - - No SVHC