IRFH7932TRPBF、STL150N3LLH5、STL90N3LLH6对比区别

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型号 IRFH7932TRPBF STL150N3LLH5 STL90N3LLH6

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8Pin PQFN T/RSTMICROELECTRONICS  STL150N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 1.4 mohm, 10 V, 1.55 VN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerVDFN-8 PowerFLAT-5x6-8 PowerVDFN-8

漏源极电阻 3.9 mΩ 0.0014 Ω 0.0038 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.4 W 80 W 60 W

产品系列 IRFH7932 - -

阈值电压 1.8 V 1.55 V 1.7 V

输入电容 4270pF @15V 5800 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 24.0 A 17.5 A 90A

输入电容(Ciss) 4270pF @15V(Vds) 5800pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 4 W 60 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

通道数 - 1 1

上升时间 - 30.8 ns 30 ns

下降时间 - 47.8 ns 12 ns

耗散功率(Max) - 114W (Tc) 60W (Tc)

针脚数 - 8 -

漏源击穿电压 - 30 V -

长度 6.1 mm 5 mm 5 mm

高度 0.95 mm 0.81 mm 0.78 mm

封装 PowerVDFN-8 PowerFLAT-5x6-8 PowerVDFN-8

宽度 - 6 mm 6 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17