通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
阈值电压 1.55 V
输入电容 5800 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 17.5 A
上升时间 30.8 ns
输入电容Ciss 5800pF @25VVds
额定功率Max 4 W
下降时间 47.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 114W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 0.81 mm
封装 PowerFLAT-5x6-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL150N3LLH5 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STL150N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 1.4 mohm, 10 V, 1.55 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STL150N3LLH5 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerFLAT N-Channel 17.5A | 当前型号 | STMICROELECTRONICS STL150N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 1.4 mohm, 10 V, 1.55 V | 当前型号 |
| 型号： CSD17312Q5 品牌： 德州仪器 封装： SON N-Channel 30V 38A | 功能相似 | 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | STL150N3LLH5和CSD17312Q5的区别 |
| 型号： IRFH7932TRPBF 品牌： 国际整流器 封装： 8-PowerVDFN N-Channel 30V 24A | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8Pin PQFN T/R | STL150N3LLH5和IRFH7932TRPBF的区别 |
| 型号： IRFH7932TR2PBF 品牌： 国际整流器 封装： PQFN N-Channel 30V 24A | 功能相似 | Single N-Channel 30V 3.1W 34NC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6mm | STL150N3LLH5和IRFH7932TR2PBF的区别 |
