FQPF7N65C、STD18N55M5、STP9NK65ZFP对比区别

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型号 FQPF7N65C STD18N55M5 STP9NK65ZFP

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF7N65C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN沟道650 V - 1 - 6.4 A TO - 220 / TO- 220FP N-channel 650 V - 1 - 6.4 A TO-220 / TO-220FP

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3

通道数 1 1 1

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 52 W 90 W 30 W

阈值电压 4 V 4 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 650 V 550 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 16A 6.4A

上升时间 50 ns 9.5 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 1245pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 1145pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 52 W 90 W 30 W

下降时间 55 ns 13 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 52W (Tc) 110W (Tc) 30W (Tc)

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 7.00 A - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 1.2 Ω 0.18 Ω -

漏源击穿电压 650 V 550 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

宽度 4.9 mm 6.2 mm 4.6 mm

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3

长度 10.16 mm 6.6 mm -

高度 9.19 mm 2.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -