
额定电压DC 650 V
额定电流 7.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 52 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1245pF @25VVds
额定功率Max 52 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 52W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.16 mm
宽度 4.9 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQPF7N65C | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N65C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQPF7N65C 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220F N-Channel 650V 7A 1.4ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N65C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
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