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FQPF7N65C
Fairchild 飞兆/仙童 晶体管

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF7N65C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V

The is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction PFC and electronic lamp ballasts.

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Low gate charge 28nC
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Low Crss 12pF
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100% avalanche tested
FQPF7N65C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 7.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 52 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 1245pF @25VVds

额定功率Max 52 W

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 52W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.9 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

FQPF7N65C引脚图与封装图
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在线购买FQPF7N65C
型号 制造商 描述 购买
FQPF7N65C Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF7N65C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号FQPF7N65C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQPF7N65C

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220F N-Channel 650V 7A 1.4ohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF7N65C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: FQPF7N65C_F105

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220-3 N-CH 650V 7A

类似代替

MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F

FQPF7N65C和FQPF7N65C_F105的区别

型号: STD18N55M5

品牌: 意法半导体

封装: DPAK N-Channel 550V 16A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V

FQPF7N65C和STD18N55M5的区别

型号: SPP08N80C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB N-Channel 800V 8A

功能相似

INFINEON  SPP08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

FQPF7N65C和SPP08N80C3的区别