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BAT54HT1G、BAT54J,115、BAT54WS-V-GS08对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT54HT1G BAT54J,115 BAT54WS-V-GS08

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAT54HT1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °CNXP  BAT54J,115  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 100 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °CVISHAY  BAT54WS-V-GS08  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-323-2 SOD-323 SOD-323

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 200 mA - -

电容 10.0 pF - -

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电流 ≤200 mA - -

针脚数 2 2 2

正向电压 0.8 V 800mV @100mA -

极性 Standard - -

耗散功率 200 mW - 150 mW

热阻 635℃/W (RθJA) 230℃/W (RθJA) -

反向恢复时间 5 ns - -

最大反向击穿电压 30 V - -

正向电流 200 mA 100 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA 600 mA 600 mA

正向电压(Max) 800 mV 800 mV 800 mV

正向电流(Max) 200 mA 0.2 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 200 mW 550 mW -

工作结温 - 150℃ (Max) -

长度 1.8 mm - 1.95 mm

宽度 1.35 mm - 1.5 mm

高度 1 mm - 1.05 mm

封装 SOD-323-2 SOD-323 SOD-323

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -