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DS1250AB-100、DS1250AB-100IND、DS1250AB-100+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1250AB-100 DS1250AB-100IND DS1250AB-100+

描述 IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIPIC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIPIc Nvsram 4Mbit 100ns 32dip - Ds1250ab-100+

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

引脚数 32 - -

存取时间 100 ns - 100 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - - 5.25 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) - -

时钟频率 100 GHz - -

内存容量 4000000 B - -

长度 43.69 mm - 43.69 mm

宽度 18.8 mm - 18.8 mm

高度 9.4 mm - 9.4 mm

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free