电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 4000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
长度 43.69 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube, Rail
RoHS标准
含铅标准
DS1250AB-100引脚图
DS1250AB-100封装图
DS1250AB-100封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1250AB-100 | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1250AB-100 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: DIP 4000000B 5V 100ns 32Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP | 当前型号 | |
型号: DS1250AB-100IND 品牌: 美信 封装: DIP | 完全替代 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP | DS1250AB-100和DS1250AB-100IND的区别 | |
型号: DS1250Y-100+ 品牌: 美信 封装: DIP 500000B 5V 100ns 32Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1250Y-100+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1250AB-100和DS1250Y-100+的区别 | |
型号: DS1250AB-70+ 品牌: 美信 封装: EDIP 500000B 4.75V 32Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1250AB-70+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1250AB-100和DS1250AB-70+的区别 |