SI7108DN-T1-GE3、SIS410DN-T1-GE3对比区别

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型号 SI7108DN-T1-GE3 SIS410DN-T1-GE3

描述 VISHAY  SI7108DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 2 VVISHAY  SIS410DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 20 V, 4 mohm, 10 V, 1.2 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

引脚数 8 8

封装 1212 PowerPAK-1212-8

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.0041 Ω 0.004 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 1.5 W 5.2 W

阈值电压 2 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 22.0 A -

上升时间 10 ns -

下降时间 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1500 mW -

高度 1.04 mm 1.04 mm

封装 1212 PowerPAK-1212-8

长度 - 3.3 mm

宽度 - 3.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

含铅标准 - Lead Free