SI7108DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0041 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 22.0 A
上升时间 10 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 1212
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7108DN-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7108DN-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7108DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7108DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号SI7108DN-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7108DN-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel 20V 22A | 当前型号 | VISHAY SI7108DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： SIS410DN-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel | 功能相似 | VISHAY SIS410DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 20 V, 4 mohm, 10 V, 1.2 V | SI7108DN-T1-GE3和SIS410DN-T1-GE3的区别 |