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JAN1N5806、JANTXV1N5806、JANTX1N5806对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5806 JANTXV1N5806 JANTX1N5806

描述 军事审批,效率高, 2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMP整流器效率高, ESP , 2.5安培至20 AMP RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMPDiode Switching Diode 150V 2.5A 2Pin Case G-111

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 A, Axial A, Axial G-111

正向电压 0.975 V 0.875 V 0.875 V

热阻 36 ℃/W 36 ℃/W -

反向恢复时间 25 ns 25 ns 25 ns

正向电流 2500 mA 2.5 A 3300 mA

正向电压(Max) 975mV @2.5A - 875mV @1A

正向电流(Max) 2.5 A 2500 mA 3.3 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -65 ℃

封装 A, Axial A, Axial G-111

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

军工级 Yes Yes -

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃