CY7C25632KV18-400BZXI、CY7C2563KV18-400BZXI、CY7C2563KV18-400BZC对比区别

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型号 CY7C25632KV18-400BZXI CY7C2563KV18-400BZXI CY7C2563KV18-400BZC

描述 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

存取时间 0.45 ns 1 ms 1 ms

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 400 MHz - -

位数 18 - -

存取时间(Max) 0.45 ns - -

电源电压(Max) 1.9 V - 1.9 V

电源电压(Min) 1.7 V - 1.7 V

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a - -