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NCP51200MNTXG、TPS51200DRCR、TPS51200QDRCRQ1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NCP51200MNTXG TPS51200DRCR TPS51200QDRCRQ1

描述 ON SEMICONDUCTOR  NCP51200MNTXG  芯片, 线性稳压器, DDR, 3A, DFN-10TEXAS INSTRUMENTS  TPS51200DRCR  芯片, DDR端接稳压器, 3A, SON-10TEXAS INSTRUMENTS  TPS51200QDRCRQ1  稳压器, 固定LDO, 2.375V至3.5V输入, 1.25V/3A输出, SON-10

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 稳压芯片稳压芯片稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 10 10

封装 DFN-10 VSON-10 VSON-10

额定功率 1.92 W 0.79 W -

输出接口数 1 1 1

输出电压 0.5V ~ 1.8V 1.25 V 1.25 V

输出电流 3 A 3 A 3 A

针脚数 10 10 10

耗散功率 1920 mW 1920 W 1920 W

静态电流 700 µA 500 µA 500 µA

输入电压(Max) 5.5 V 3.5 V 3.5 V

输入电压(Min) 2.375 V 2.375 V 2.375 V

输出电流(Max) 3 A 5.5 A -

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1920 mW 1.92 W 1920 mW

电源电压(Max) 3.5 V - -

电源电压(Min) 2.375 V - -

输入电压 2.375V ~ 3.5V 2.38V ~ 3.5V 2.38V ~ 3.5V

输出电容类型 - Ceramic Ceramic

调节输出数 - 1 1

输入电流 - 1 µA -

长度 3 mm 3.1 mm -

宽度 3 mm 3.1 mm -

高度 0.95 mm 0.95 mm -

封装 DFN-10 VSON-10 VSON-10

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -