锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MT29F1G16ABBDAH4:D、MT29F1G16ABBEAH4:E、MT29F1G16ABBDAHC:D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F1G16ABBDAH4:D MT29F1G16ABBEAH4:E MT29F1G16ABBDAHC:D

描述 Flash, 64MX16, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1Gbit 64M x 16Bit 63Pin VFBGASLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 64M x 16 63Pin VFBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 63 63 63

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 VFBGA-63

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

工作电压 1.80 V 1.80 V 1.80 V

位数 16 16 16

内存容量 125000000 B 125000000 B 125000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

供电电流 20 mA - -

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 VFBGA-63

高度 0.65 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅 Lead Free